陕西天士立实业集团有限公司
主营产品:电流，电压测量
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“华则检测”专业的第三方检测机构
IGBT检测试分析_低价优惠_华则检测第三方实验室CNAS/CMA：“华则检测”专业的第三方检测机构。具有CNAS和CMA认证资质，拥有多个设备一流、水平先进、专业人员、制度规范的大型综合“第三方公正检测实验单位”，对外提供检测测试和验证等服务。
IGBT检测试分析_低价优惠_华则检测第三方实验室CNAS/CMA：“华则检测”主要业务包含功率器件参数检测、半导体可靠性检测、半导体环境老化试验分析、应用级系统分析、半导体失效分析、车用分立器件可靠性测试认证、车用功率模块可靠性测试认证、力学实验、气候环境实验等领域，
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服务目录
IGBT检测试分析_低价优惠_华则检测第三方实验室CNAS/CMA
(1) 检测项目：开短路检测 4
(2) 检测项目：漏电检测 4
(3) 检测项目：产品外观或形貌确认 4
(4) 检测项目：尺寸测量 4
(5) 检测项目：超声波检测(SAT) 4
(6) 检测项目：X-ray检测 5
(7) 检测项目：推拉力检测 5
(8) 检测项目：有害物质检测 5
(9) 检测项目：剖面分析 5
(10) 检测项目：样品开封 5
(1) 检测项目：直流参数 6
(2) 检测项目：雪崩能量 6
(3) 检测项目∶栅极电阻 6
(4) 检测项目：开关时间（器件级） 6
(5) 检测项目：开关时间（模块级） 6
(6) 检测项目：反向恢复（模块级） 6
(7) 检测项目：反向恢复（器件级） 6
(8) 检测项目：栅极电荷（模块级） 7
(9) 检测项目：栅极电荷（器件级） 7
(10) 检测项目：短路耐量能力（模块级） 7
(11) 检测项目：短路耐量能力（器件级） 7
(12) 检测项目：结电容 7
(13) 检测项目：热阻性能（器件级） 7
(14) 检测项目：热阻性能（模块级） 7
(15) 检测项目：参数曲线扫描 8
(16) 检测项目：ESD能力 8
(17) 检测项目：正向浪涌能力 8
(1) 检测项目：电气参数 9
(2) 检测项目：保护功能测试 9
(3) 检测项目：元器件应力测试 9
(4) 检测项目：电气/抗电强度测试 9
(5) 检测项目：绝缘电阻测试 10
(6) 检测项目：接地电阻测试 10
(7) 检测项目：低温测试 10
(8) 检测项目：高温测试 10
(9) 检测项目：高加速寿命/应力测试 10
(10) 检测项目：静电放电抗扰度测试 10
(11) 检测项目：雷击浪涌抗扰度测试 10
(12) 检测项目：电源端子骚扰电压/传导测试 11
(1) 检测项目：功率循环龌 (PC) 12
(2) 检测项目：高温门极试验(HTGB) 12
(3) 检测项目：低温工作寿命试验(LTOL) 12
(4) 检测项目：低温储存试验(LTSL) 12
(5) 检测项目：高低温循环试验(TC) 12
(6) 检测项目：稳态功率试验(SSOL) 12
(7) 检测项目：无偏压的高加速应力试验(UHAST) 13
(8) 检测项目：预处理试验(Pre-con) 13
(9) 检测项目：高温反偏试验(HTRB) 13
(10) 检测项目：高温工作寿命试验(HTOL) 13
(11) 检测项目：高温储存试验(HTSL) 13
(12) 检测项目：高温高湿试验(THB) 13
(13) 检测项目：间歇寿命试验(IOL)功率循试验(PC) 13
(14) 检测项目：高加速应力试验(HAST) 14
(15) 检测项目：高温蒸煮试验(PCT) 14
(16) 检测项目：潮气敏感度等级试验(MSL) 14
(17) 检测项目：可焊性试验(Solderability) 14
Ø 覆盖产品：IC
Ø 检测能力：满足128pin及以下引脚IC的open/short测试、曲线跟踪分析、漏电流测试；最大电压7V，电压精度1mV，最大电流 500mA，电礪度 10nA；
Ø 执行标准：客户要求
Ø 覆盖产品：IC，分立器件，模块等产品
Ø 检测能力：具有EMMI (微光)和TIVA (激光诱导)两种侦测方 式；加电方式A：电压20mV-200V，电流10nA-1A，电流精度 10fA；加电方式B：最大电压3000V，最大电流5A。
Ø 执行标准：客户要求
Ø 覆盖产品：IC，分立器件，模块等产品
Ø 检测能力：立体成像/最大45倍；金相成像/最大1000倍；数码成像/最大6000倍；
Ø 执行标准：客户要求
Ø 覆盖产品：IC，分立器件，模块等产品
Ø 检测能力：立体成像/最大45倍；金相成像/最大1000倍；数码成像/最大6000倍；
Ø 执行标准：客户要求
Ø 覆盖产品∶ IC，分立器件，模块等产品
Ø 检测能力∶具有分层面积百分比计算，缺陷尺寸标识，厚度与距离测量等功能。可进行A-scan（点扫描）、B-scan（纵向扫描）、 C-scan（横向扫描）、Through-scan（透射扫描）。
Ø 执行标准∶国军标
Ø 覆盖产品：IC，分立器件，模块等产品
Ø 检测能力：最高分辨率0.5um。具有空洞面积百分比计算，缺陷尺寸标识，厚度与距离测量等功能。可进行二维扫描、三维CT扫描。
Ø 执行标准：国军标
Ø 覆盖产品∶ IC，分立器件，模块等产品
Ø 检测能力∶支持WP100和WP2.5KG二款拉力测试头，测试范围0- 2.5Kg;支持BS250、BS5KG和DS100KG三款推力测试头，测试范围0-100Kg，推刀接受面宽0-8891um。
Ø 执行标准∶ 国军标
Ø 覆盖产品∶IC，分立器件，模块等产品
Ø 检测能力∶ 支持铅（Pb）、镉（Cd）、汞（Hg）、六价铬（Cr6+）、多溴联苯（PBB）和多溴二苯醚（PBDE），以及卤素等其他化学元素的检测。主要元素Pb/Cd/Hg/Cr/Br最低检测限可达2ppm。
Ø 执行标准∶ IEC
Ø 覆盖产品：IC，分立器件，模块等产品
Ø 检测能力：金相样品制备、样品观察、样品染色。
Ø 执行标准：客户要求
Ø 覆盖产品：IC，分立器件，模块等产品
Ø 检测能力：激光开封、化学开封、样品剥层。
Ø 执行标准：客户要求
Ø 覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE等模块产品；
Ø 检测能力：检测最大电压7500V检测最大电流6000A
Ø 执行标准：国标，IEC
Ø 覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半导体器件等单管器件
Ø 检测能力：检测最大电压2500V检测最大电流200A
Ø 执行标准：美军标
Ø 覆盖产品∶MOSFET、IGBT及第三代半导体器件
Ø 检测能力∶检测阻抗∶0.1Ω～50Ω
Ø 执行标准∶JEDEC
Ø 覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体单管器件；
Ø 检测能力：最大电压1200V 最大电流200A
Ø 执行标准：美军标，国标，IEC等
Ø 覆盖产品：IGBT等模块产品
Ø 检测能力：检测最大电压2700V检测最大电流4000A
Ø 执行标准：国标，IEC
Ø 覆盖产品：IGBT等模块产品
Ø 检测能力：检测最大电压2700V检测最大电流4000A
Ø 执行标准：国标，IEC
Ø 覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件
Ø 检测能力：最大电压1200V 最大电流200A
Ø 执行标准：美军标，国标，IEC等
Ø 覆盖产品：IGBT等模块产品
Ø 检测能力：检测最大电压2700V检测最大电流4000A
Ø 执行标准：国标，IEC
Ø 覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件
Ø 检测能力：最大电压1200V 最大电流200A
Ø 执行标准：美军标，国标，IEC等
Ø 覆盖产品：IGBT等模块产品
Ø 检测能力：检测最大电压2700V，检测最大电流10000A
Ø 执行标准：国标，IEC
Ø 覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件
Ø 检测能力：检测最大电压1200V，检测最大电流1000A；
Ø 执行标准：美军标，国标，IEC等
Ø 覆盖产品：MOSFET、IGBT及第三代半导体单管器件
Ø 检测能力：检测最大电压3000V
Ø 执行标准：IEC
Ø 覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体单管器件
Ø 检测能力：功率250W
Ø 执行标准：美军标，JEDEC
Ø 覆盖产品：IGBT等模块产品
Ø 检测能力：最大功率4000W
Ø 执行标准：美军标，JEDEC
Ø 覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管器件的l-V、C-V曲线
Ø 检测能力：检测最大电压3000V检测最大电流1500A温度-70°C~180°C
Ø 执行标准：美军标，IEC等
Ø 覆盖产品：MOSFET、IGBT、IC等产品
Ø 检测能力：HBM最大电压8000V；MM最大电压800V
Ø 执行标准：美军标，ANSI，JEDEC等
Ø 覆盖产品：DIODE (Si/SiC)、整流桥；
Ø 检测能力：最大电流800A
Ø 执行标准：美军标，国标
Ø 覆盖产品：开关电源(例如低压AC/DC电源，低压DC/DC电源，直流充电桩电源模块等)、电机控制板。
Ø 检测能力：低压AC/DC电源：单相最大输入电压/功率为 300V/3KVA；最大输出电压/功率：80V/1000W；低压DC/DC电 源：最大输入电压/功率为80V/1.2KW；最大输出电压/功率： 80V/1000W；直流充电桩电源模块：三相最大输入电压/功率为 500V/30KVA；最大输出电压/功率：700V/30KW；电机控制板： 直流输入电压/功率100V/5KW
Ø 执行标准：国标，IEC，客户要求等
Ø 覆盖产品：开关电源(例如低压AC/DC电源，低压DC/DC电源，直流充电桩电源模块等)、电机控制板。
Ø 检测能力：低压AC/DC电源：单相最大输入电压/功率为 300V/3KVA；最大输出电压/功率：80V/1000W；低压DC/DC电 源：最大输入电压/功率为80V/1.2KW；最大输出电压/功率： 80V/1000W；直流充电桩电源模块：三相最大输入电压/功率为 500V/30KVA；最大输出电压/功率：700V/30KW；电机控制板： 直流输入电压/功率100V/5KW
Ø 执行标准：国标，IEC，客户要求等
Ø 覆盖产品：开关电源(例如低压AC/DC电源，低压DC/DC电源，直流充电桩电源模块等)、电机控制板、锂电保护板。
Ø 检测能力：最大峰值电压：1.5KV；最大有效值/峰值电流：30A/50A；最高温度：260°C
Ø 执行标准：元器件规格，客户要求等
Ø 覆盖产品：电子电气产品
Ø 检测能力：交流耐压范围：(0~5)KV/40mA；直流耐压范围：(0~6)KV/9999uA
Ø 执行标准：国标，IEC，客户要求等
Ø 覆盖产品：电子电气产品
Ø 检测能力：(100~1K)Vdc/9999mΩ
Ø 执行标准：国标，IEC，客户要求等
Ø 覆盖产品：电子电气产品
Ø 检测能力：30A/600mΩ
Ø 执行标准：国标，IEC，客户要求等
Ø 覆盖产品：电子电气产品
Ø 检测能力：最低温度：-70℃
Ø 执行标准：国标，IEC，客户要求等
Ø 覆盖产品：电子电气产品
Ø 检测能力：最高温度：~180℃
Ø 执行标准：国标，IEC，客户要求等
Ø 覆盖产品∶电子电气产品
Ø 检测能力∶温度范围∶（-100～+200）℃℃;温度上升速率∶平均（70°～100°）C/m; 加速∶（5-60）gRMS （空台）
Ø 执行标准∶国标，IEC，客户要求等
Ø 覆盖产品∶电子电气产品
Ø 检测能力∶接触静电放电电压范围∶（±2～±8）KV空气静电放电电压范围∶（±2～±25）KV
Ø 执行标准∶国标，IEC，客户要求等
Ø 覆盖产品∶电子电气产品
Ø 检测能力∶1.2/50us综合波的开路电压范围∶（0.25～10）KV; 10/700us通讯波的开路电压范围∶（0～6）KV;输出阻抗∶ 1.2/50us综合波2Ω、12Ω和500Ω;10/700us通讯波15Ω和40Ω
Ø 执行标准∶国标，IEC，客户要求等；
Ø 覆盖产品：电子电气产品
Ø 检测能力：9KHz~ 30MHz
Ø 执行标准：国标，IEC，客户要求等
Ø 覆盖产品∶IGBT模块
Ø 检测能力∶△Tj=100℃电压电流最大1800A，12V
Ø 执行标准∶ IEC 客户自定义
Ø 覆盖产品∶MOSFET、SiC MOS等单管器件
Ø 检测能力∶温度最高150℃;电压最高2000V
Ø 执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
Ø 覆盖产品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件
Ø 检测能力∶温度最低-80℃ 电压最高2000V
Ø 执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
Ø 覆盖产品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品
Ø 检测能力∶温度最低-80℃
Ø 执行标准∶ 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
Ø 覆盖产品∶MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品
Ø 检测能力∶温度范围∶-80℃~220℃
Ø 执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
Ø 覆盖产品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件
Ø 检测能力∶△Tj≥100℃，电压电流最大48V，10A
Ø 执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
Ø 覆盖产品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品
Ø 检测能力∶温度130℃ 湿度85%
Ø 执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
Ø 覆盖产品∶所有SMD类型器件
Ø 检测能力∶设备满足各个等级的试验要求
Ø 执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
Ø 覆盖产品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管器件
Ø 检测能力∶温度最高150℃; 电压最高2000V
Ø 执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
Ø 覆盖产品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件
Ø 检测能力∶温度最高150℃，电压最高2000V
Ø 执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
Ø 覆盖产品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品
Ø 检测能力∶温度最高150℃;
Ø 执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
Ø 覆盖产品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品
Ø 检测能力∶温度最高180℃ 湿度范围∶10%~98%
Ø 执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
Ø 覆盖产品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件
Ø 检测能力∶△Tj≥100℃ 电压电流最大48V，10A
Ø 执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
Ø 覆盖产品∶ MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品
Ø 检测能力∶ 温度130℃/110℃ 湿度85%
Ø 执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
Ø 覆盖产品∶ MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品
Ø 检测能力∶温度121℃ 湿度100%
Ø 执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
Ø 覆盖产品∶所有SMD类型器件
Ø 检测能力∶设备满足各个等级的试验要求
Ø 执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
Ø 覆盖产品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件
Ø 检测能力∶有铅、无铅均可进行
执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
IGBT检测试分析_低价优惠_华则检测第三方实验室CNAS/CMA：“华则检测”专业的第三方检测机构。具有CNAS和CMA认证资质，拥有多个设备一流、水平先进、专业人员、制度规范的大型综合“第三方公正检测实验单位”，对外提供检测测试和验证等服务。
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